Ipw65r080cfdfksa1 Canale N 700 V 43.3 A (Tc) 391 W (Tc) トランジスタ DIP-Mosfet Pg-To247-3-1 Ipw65r080cfd Ipw65r080 Ipw65

カテゴリー

ディスクリート半導体製品

トランジスタ – FET、MOSFET – 個別

メーカー

インフィニオン テクノロジーズ

シリーズ

クールモス™

パッケージ

ロール

商品の状態

新しいデザインには向きません

太字

Nチャンネル

テクノロジー

MOSFET (メタロキシド)

ドレイン・ソース間電圧(Vdss)

700V

電流 – 25℃での連続ドレイン (Id)

43.3A(TC)

駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)

10V

Rds オン (最大) @ Id、Vgs

80ミリオーム（17.6A、10V）

Vgs(th) (最大) @ ID

4.5V、1.76mA

ゲート-ラドゥン (Qg) (最大) @ Vgs

10Vで170nC

Vgs (最大)

±20V

Vds での入力容量 (Ciss) (最大)

100Vで5030pF

太字関数

-

電力損失（最大）

391W(Tc)

動作温度

-55℃～150℃(TJ)

留め具の種類

貫通穴

サプライヤーのデバイス パッケージ

PG-TO247-3-1

パッケージ/スーツケース

TO-247-3

基本品番

IPW65R080