ルネサス、EVインバータを駆動するIGBTおよびSiC MOSFET用の新しいゲートドライバICを発表

新しいゲートドライバICは、絶縁電圧3.75kVrmsで1200Vパワーデバイスをサポート

東京 ― 先進的な半導体ソリューションの主要サプライヤーであるルネサス エレクトロニクス株式会社 (東証: 6723) は本日、IGBT (絶縁ゲート バイポーラ トランジスタ) や SiC などの高電圧パワー デバイスを駆動するように設計された新しいゲート ドライバ IC を発表しました。炭化ケイ素) 電気自動車 (EV) インバーター用 MOSFET。

ゲート ドライバ IC は EV インバータにとって不可欠なコンポーネントであり、インバータ制御 MCU と、インバータに電力を供給する IGBT および SiC MOSFET 間のインターフェイスを提供します。 これらは、低電圧領域で MCU から制御信号を受信し、これらの信号を転送して高電圧領域でパワー デバイスを迅速にオン/オフします。 RAJ2930004AGMは、EVバッテリーの高電圧化に対応するため、前世代製品の2.5kVrmsアイソレータよりも高い3.75kVrms（kV二乗平均平方根）アイソレータを内蔵しており、耐電圧2.5kVのパワーデバイスに対応できます。 1200Vまで。 さらに、新しいドライバ IC は 150 V/ns (ナノ秒) 以上の優れた CMTI (コモンモード過渡耐性) 性能を誇り、インバータシステムに必要な高電圧と高速スイッチング速度を満たしながら、信頼性の高い通信とノイズ耐性の向上を実現します。 新製品は、ゲートドライバの基本機能を小型のSOIC16パッケージで提供するため、コスト効率の高いインバータシステムに最適です。

RAJ2930004AGM は、ルネサス製 IGBT だけでなく、他のメーカーの IGBT や SiC MOSFET とも併用できます。 トラクション インバータに加えて、ゲート ドライバ IC は、車載充電器や DC/DC コンバータなど、パワー半導体を使用する幅広いアプリケーションに最適です。 開発者が製品を迅速に市場に投入できるよう、ルネサスはゲートドライバICとMCU、IGBT、電源管理ICを組み合わせたxEVインバータキットソリューションを提供しており、新しいゲートドライバICを組み込んだバージョンを2023年前半にリリースする予定です。 。

「ルネサスは、高い絶縁耐圧と優れた CMTI 性能を備えた車載アプリケーション向けの第 2 世代ゲート ドライバ IC を提供できることをうれしく思います」とルネサスの車載アナログ特定事業部副社長の大道 明氏は述べています。 「当社は、電力損失を最小限に抑え、顧客システムの高レベルの機能安全を満たすソリューションを提供することで、EV向けアプリケーション開発を推進し続けます。」

分離機能

ゲートドライブ機能

保護・故障検出機能

使用温度範囲：-40～125℃（Tj：150℃以下）

この製品は、コスト効率の高いインバータを実現し、環境への影響を最小限に抑えることで、EVの普及促進に貢献します。

RAJ2930004AGM ゲート ドライバ IC は現在サンプル出荷が開始されており、量産は 2024 年の第 1 四半期に予定されています。新製品の詳細については、https://www.renesas.com/products/automotive-products/automotive- をご覧ください。電源管理/モーターとソレノイドドライバー/raj2930004agm-gate-driver-hevev

ルネサス エレクトロニクス株式会社 (TSE: 6723) は、テクノロジーが私たちの生活を楽にする、より安全、よりスマート、より持続可能な未来を実現します。 世界をリードするマイクロコントローラのプロバイダーであるルネサスは、組み込み処理、アナログ、電源、接続に関する専門知識を組み合わせて、完全な半導体ソリューションを提供します。 これらの優れた組み合わせにより、自動車、産業、インフラ、IoT アプリケーションの市場投入までの時間が短縮され、人々の働き方や生活の仕方を向上させる数十億もの接続されたインテリジェント デバイスが可能になります。 詳細については、renesas.com をご覧ください。 LinkedIn、Facebook、Twitter、YouTube、Instagram で私たちをフォローしてください。

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